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【速搜资讯】三星透露采用高K金属栅极工艺制作的512GB DDR5内存 速度是DDR4的200%

科技信息 admin 8个月前 (03-26) 160次浏览 已收录 0个评论

目前业界已经有部分半导体公司推出DDR5内存 ,  这种内存在带宽更大速度更快同时内部电压降低功耗同比下降。

只是就目前来说家庭消费者可能还需要继续等待才能使用这种内存,毕竟当前这类内存价格较高还需要升级主板。

而半导体业界巨头三星目前也在研发DDR5内存 ,  但三星研发的内存不论从技术还是容量方面都与同行存在区别。

三星准备推出的DDR5内存采用高K金属栅极工艺制作 ,在容量方面可达512GB并且可以提供7200Mbps的速度。

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超高速超大容量内存即将到来:

三星官方日前透露该公司正在研发的新式内存介质 ,  该内存从速度和容量方面展示DDR5标准在内存方面的潜力。

这种内存采用名为高K金属栅极 (HKMG) 的技术可极大地提高能量密度 , 同时可以减缓传统工艺存在的漏电问题。

该技术还有助于提高存储介质的性能,因此使用这种技术的内存不仅可以降低功耗同时还可以提供更卓越的性能。

三星表示512GB版DDR5将成为全球首款采用高K金属栅极工艺的内存,其速度可达 7200Mbps 是DDR4的两倍。

而这种内存初期的目标是满足需要交换大量数据的超算、人工智能和机器学习,但最终也会面向家庭消费者提供。

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使用8层16Gb DRAM芯片

三星研发中的这款512GB DDR5 内存采用8层16Gb DRAM芯片,这些DRAM芯片可以组成128Gb或16GB容量。

芯片存储密度大幅提升的情况下,三星也只需要在内存上使用32块 16Gb DRAM 芯片即可组成512GB版容量。

三星官方称除速度和容量的大幅度提升外,这种内存的功耗也比非 HKMG 内存低13%,因此非常适合数据中心。

当然对家庭消费者来说使用这种内存也可以提高使用性能 , 只是家庭消费者可能需要等待工艺成熟价格慢慢降低。

三星在新闻稿中还引用合作伙伴英特尔的说明,英特尔表示该内存将与新款Sapphire Rapids Xeon 处理器兼容。

该架构将使用8通道的DDR5内存控制器,因此可以用来组成内存容量TB级别以上速度可达460GB/S的硬件架构。

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本文转自:蓝点网|www.landiannews.com


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