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【速搜资讯】Intel首次官曝Xe HPC高性能独显内核图:双芯、7种工艺

科技信息 admin 1个月前 (01-27) 27次浏览 已收录 0个评论

Intel Xe独立显卡正在稳步推进,分为四种不同架构分路出击。

其中,基于Xe LP低功耗架构的核显版、移动独显版、桌面独显版都已经发布出货。

高性能的有Xe HPG、Xe HP、Xe HPC多种版本,全面覆盖游戏、高性能计算、数据中心、人工智能等各种领域,Xe HPG已经点亮,Xe HP正在试产,Xe HPC在开发之中。

【速搜资讯】Intel首次官曝Xe HPC高性能独显内核图:双芯、7种工艺

Intel高级副总裁、首席架构师、架构图形与软件总经理Raja Koduri今天曝出猛料,第一次公布了Xe HPC芯片的内部照片,并透露它已经准备好点亮(Power On),而且在统一封装内应用了多达7种不同的芯片技术——应该是包含多种制造工艺、封装工艺。

虽然没有任何描述,但是从照片上看,这款Xe HPC芯片采用了2-Tile双芯封装的方式,各自应该有8个计算核心,但不清楚又分为多少执行单元,而在外部则是总共8颗HBM显存堆栈,角落里还有一个用途不明的芯片,疑似独立缓存或互连模块。

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Intel早在2019年底就宣布了第一个基于Xe HPC架构的产品,代号“Ponte Vecchio”,7nm工艺制造,Foveros 3D、Co-EMIB混合封装,支持HBM显存、CXL高速互连等、Ramo一致性缓存技术,面向HPC高性能计算、AI人工智能等领域。

Raja声称,Xe HPC架构扩展性极强,可以轻松做到1万个执行单元,每个单元都是全新设计,FP64双精度浮点性能是现在的40倍,通过XEMF(Xe Memory Fabric)总线连接HBM显存,而且CPU、GPU都能访问Rambo缓存。

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根据Intel去年公布的最新资料,Xe HPC芯片中的基础模块(Base Tile)采用Intel 10nm SuperFin工艺,计算模块(Compute Tile)同时采用Intel下一代工艺(7nm?)和第三方工艺(台积电7nm?),Rambo缓存模块使用Intel 10nm SuperFin增强版工艺,Xe Link I/O互连输入输出模块则是第三方工艺。

先比之下,Xe LP都是10nm SuperFin,Xe HP都是10nm SuperFin增强版,Xe HPG则是外包。

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本文转自:快科技|http://news.mydrivers.com


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