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台积电3nm细节公布:2.5亿晶体管/mm2 能耗性能大提升

科技信息 admin 1个月前 (04-20) 35次浏览 已收录 0个评论

近日,台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情,其晶体管密度达到了破天荒的2.5亿/mm²!

台积电3nm细节公布:2.5亿晶体管/mm2 能耗性能大提升

作为参考,采用台积电7nm EUV工艺的麒麟990 5G尺寸113.31mm²,晶体管密度103亿,平均下来是0.9亿/mm²,3nm工艺晶体管密度是7nm的3.6倍。这个密度形象化比喻一下,就是将奔腾4处理器缩小到针头大小。

性能提升上,台积电5nm较7nm性能提升15%,能耗提升30%,而3nm较5nm性能提升7%,能耗提升15%。

此外台积电还表示,3nm工艺研发符合预期,并没有受到疫情影响,预计在2021年进入风险试产阶段,2022年下半年量产

工艺上,台积电评估多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳,所以3nm首发依然会是FinFET晶体管技术。

但台积电老对手三星则押宝3nm节点翻身,所以进度及技术选择都很激进,将会淘汰FinFET晶体管直接使用GAA环绕栅极晶体管。

台积电3nm细节公布:2.5亿晶体管/mm2 能耗性能大提升

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