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三星量产业内最快UFS 3.1手机闪存:写速达1.2GB/s、3倍于UFS 3.0

科技信息 admin 3个月前 (03-17) 91次浏览 已收录 0个评论

今日,三星电子宣布已开始量产512GB封装容量的eUFS 3.1闪存,可用于手机、平板等。

相较上一代eUFS 3.0(512GB)闪存产品,新款的写速提升了200%,达到了惊人的1200MB/s,比用于PC的传统SATA3 SSD(540MB/s)和UHS-I microSD存储卡(90MB/s),可谓巨大的升级,可消除8K5G时代下的存储瓶颈。

其它性能参数还包括,连续读取速度可达2100MB/s,随机读取速度就100K IOPS,随机写入速度70K IOPS。

三星量产业内最快UFS 3.1手机闪存:写速达1.2GB/s、3倍于UFS 3.0

当然,这批新的eUFS 3.1闪存还有128GB和256GB容量。

另外,三星还透露,其位于中国西安市的X2线则已于本月开始生产第五代V-NAND(9x层),韩国平泽市的P1线将很快转向第六代V-NAND闪存(1xx层)芯片的量产,以满足日益增长的市场需求。

此前,西部数据、铠侠(原东芝存储)也介绍了UFS 3.1闪存产品,但都是出样,没有达到量产程度。

三星量产业内最快UFS 3.1手机闪存:写速达1.2GB/s、3倍于UFS 3.0

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